Прогнозы аналитиков, что флеш-память в ближайшие годы приблизится, а потом опередит обычные механические жесткие диски по емкости, могут не оправдаться. Технологии производства флеш-памяти натолкнулись на существенную проблему, которую специалисты пока не знают, как решать.
Флеш-память NAND уже натыкалась на технологические препятствия – возникла проблема миниатюризации одной ячейки. Вендоры нашли решение в том, чтобы стыковать слои флеш-памяти друг над другом, такой тип называется 3D NAND. Благодаря этому без дальнейшего уменьшения ячеек можно было наращивать емкость микросхем флеш.
Сегодня все главные разработчики на рынке освоили или подошли к массовому производству 64-слойных чипов 3D NAND. На очереди выпуск 96-слойных микросхем. Однако оказалось, что дальнейшее увеличение количества слоев имеет непреодолимые препятствия.
Генеральный директор компании BeSang Inc Чи Сан-юн, которая занимается разработкой чипов 3D NAND, говорит, что он очень удивится, если кто-то сможет наладить выпуск многослойной 3D NAND емкостью 4 Тбит. Например, компания Samsung в следующем году пообещала начать производство чипов на 1 Тбит с применением 3D NAND. Детали микросхем неизвестны, но это могут быть 96-слойные микросхемы с записью 4 бит в каждую ячейку (память типа QLC).
Флеш-память NAND уже натыкалась на технологические препятствия – возникла проблема миниатюризации одной ячейки. Вендоры нашли решение в том, чтобы стыковать слои флеш-памяти друг над другом, такой тип называется 3D NAND. Благодаря этому без дальнейшего уменьшения ячеек можно было наращивать емкость микросхем флеш.
Сегодня все главные разработчики на рынке освоили или подошли к массовому производству 64-слойных чипов 3D NAND. На очереди выпуск 96-слойных микросхем. Однако оказалось, что дальнейшее увеличение количества слоев имеет непреодолимые препятствия.
Генеральный директор компании BeSang Inc Чи Сан-юн, которая занимается разработкой чипов 3D NAND, говорит, что он очень удивится, если кто-то сможет наладить выпуск многослойной 3D NAND емкостью 4 Тбит. Например, компания Samsung в следующем году пообещала начать производство чипов на 1 Тбит с применением 3D NAND. Детали микросхем неизвестны, но это могут быть 96-слойные микросхемы с записью 4 бит в каждую ячейку (память типа QLC).
Поделитесь в соцсетях:
