Ученые из Лос-Анджелеса добились значительных улучшений в использовании электрического напряжения, а не электрического тока при создании ультра-быстрой магниторезистивной памяти с высокой пропускной способностью с произвольным доступом или сокращенно MRAM.
Новая технология имеет большой потенциал для будущих чипов памяти в устройствах, таких как смартфоны и ПК, а также для твердотельных накопителей данных. Она сочетает в себе низкую энергию с очень высокой плотностью, высокой скоростью чтения и записи и энергонезависимость - флэш-способности сохранять данные при отсутствии питания.
Она исключает необходимость перемещать большие количества электронов по проводам, что делает систему от 10 до 1000 раз более энергоэффективной. Кроме того, плотность памяти почти в пять раз превышает текущие возможности.
Технология может также позволить новым мгновенным электронным системам с интегрированной памятью, увеличивая мощность в режиме ожидания и улучшая функциональность.
novostiua.net
Новая технология имеет большой потенциал для будущих чипов памяти в устройствах, таких как смартфоны и ПК, а также для твердотельных накопителей данных. Она сочетает в себе низкую энергию с очень высокой плотностью, высокой скоростью чтения и записи и энергонезависимость - флэш-способности сохранять данные при отсутствии питания.
Она исключает необходимость перемещать большие количества электронов по проводам, что делает систему от 10 до 1000 раз более энергоэффективной. Кроме того, плотность памяти почти в пять раз превышает текущие возможности.
Технология может также позволить новым мгновенным электронным системам с интегрированной памятью, увеличивая мощность в режиме ожидания и улучшая функциональность.
novostiua.net
Поделитесь в соцсетях:
