Нанотехнологии позволили ученым создать новую электронную технологию памяти, которая может записывать и стирать данные от 10 до 100 раз быстрее, чем сегодняшние устройства памяти.
Новая система, которую разработали ученые из Тайваня и Университета Калифорнии, использует слой не проводящего материала со встроенными дискретными (не перекрывающимися) наноточками из кремния, каждая из которых имеет диаметр около 3 нанометров.
Каждая такая наноточка хранит один бит информации. Этот слой покрывается тонким металлическим слоем, который функционирует как «металлические ворота». Они контролируют состояние включения и выключения наноточек.
Это новый этап в скорости был достигнут при помощи ультра-коротких очередей выборочного отжога лазера зеленого света в конкретных местах вокруг металлического слоя ворот памяти.
Вспышки лазера продолжительностью в несколько миллисекунд позволяют получить высокую точность при создании каждой из наноточек. Такой способ хранения памяти является особенно надежным, объясняют его разработчики, потому что, если одна из наноточек и выйдет из строя, то это не повлияет на работу других. Это дает возможность получить стабильный и долгоживущий способ хранения данных.
Кроме того, эта технология не только отвечает текущим требованиям CMOS, но также может применяться и для других устройств.
novostiua.net
Новая система, которую разработали ученые из Тайваня и Университета Калифорнии, использует слой не проводящего материала со встроенными дискретными (не перекрывающимися) наноточками из кремния, каждая из которых имеет диаметр около 3 нанометров.
Каждая такая наноточка хранит один бит информации. Этот слой покрывается тонким металлическим слоем, который функционирует как «металлические ворота». Они контролируют состояние включения и выключения наноточек.
Это новый этап в скорости был достигнут при помощи ультра-коротких очередей выборочного отжога лазера зеленого света в конкретных местах вокруг металлического слоя ворот памяти.
Вспышки лазера продолжительностью в несколько миллисекунд позволяют получить высокую точность при создании каждой из наноточек. Такой способ хранения памяти является особенно надежным, объясняют его разработчики, потому что, если одна из наноточек и выйдет из строя, то это не повлияет на работу других. Это дает возможность получить стабильный и долгоживущий способ хранения данных.
Кроме того, эта технология не только отвечает текущим требованиям CMOS, но также может применяться и для других устройств.
novostiua.net
Поделитесь в соцсетях:
