Компания Samsung Electronics, крупнейший в мире производитель чипов памяти, заявила вчера, что она начала производство первых в мире 4 Гб плат динамической оперативной памяти (DRAM) размером в 20 нанометров (нм).

Samsung начал расширять рынок плат 4 Гб DRAM еще в прошлом году, начав массовое производство DRAM 30 нм. Компания ожидает, что новые платы памяти 4Гб LPDDR2 быстро заменят предыдущие микросхемы 30 нм.

По словам представителей компании, поставки новых плат 4Гб LPDDR2, как ожидается, будут увеличиваться постоянно и составят около 13% от общего объема поставок DRAM в 2012 году, 49% в 2013 году и 63% в 2014 году. DRAM 4 Гб, согласно прогнозам, станет основным чипом DRAM на рынке примерно к концу 2013 года.

«Во второй половине этого года, мы ожидаем значительное увеличение доли DRAM класса 20 нм в нашем общем объеме производства DRAM, что сделает 4 Гб DRAM основным продуктом компании, что, следовательно, позволит ей сохранить лидирующие позиции в премиум сегменте рынка и укрепят ее конкурентные преимущества», - сказал Гон Ванхун, исполнительный вице-президент отдела продаж и маркетинга компании Samsung.

novostiua.net


Поделитесь в соцсетях: