Согласно новому отчёту для инвесторов, компания планировала начать массовое производство 3-нм чипов к 2021 году, но поскольку Samsung не смогла завершить плановую установку оборудования на производственные линии из-за пандемии коронавируса, их запуск был перенесён на 2022 год.
Samsung разрабатывает 3-нм чипы по технологии Gate All Around (GAAFET), а не FinFET. Предполагается, что эта технология позволит уменьшить общий размер чипа на 35% и снизить энергопотребление на 50%. При этом прирост производительности может составить до 33% по сравнению с 5-нм чипами FinFET.
Стоит отметит, что основной конкурент Samsung — TSMC — также начнёт производить 3-нм чипы не ранее 2022 года.
Поделитесь в соцсетях: